参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	RTF010P02TLn: 0
说明	通用MOSFET   3-SMD TUMT
起订量	3
最小包	3
现货	401 [库存更新时间：2024-05-08]
连续漏极电流Id	1A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 10V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	800mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	390mΩ@1A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	3-SMD
封装/外壳	TUMT
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	1A